技術情報與智慧財產(IP)策略顧問公司KnowMade表示，在2024年第四季，其SiC專利監測報告(SiC Patent Monitor)顯示出強勁的增長，新增超過900個專利家族，並有400件新授權專利。在此期間，有超過100件專利到期或被放棄，並涉及7起重要的專利轉讓。
SiC產業的不斷創新，特別是在大尺寸與裸晶圓領域，推動了基板技術的提升以及更可靠的功率元件的發展。例如，在，NGK Insulators公開了一種複合SiC基板，其具有雙軸取向SiC層，能夠透過控制拉曼位移值來減少翹曲，並透過調控基面差排(BDP)的體積密度，防止基板在製程中發生破裂與裂紋。此外，另一家值得關注的企業SICC發布了針對大直徑SiC晶圓(>150 mm)的發明，該技術可改善3D應力分布並降低內部應力。
在磊晶領域，住友電工(Sumitomo Electric)的IP活動依然活躍，在本季公開了四項新發明。這些專利解決的技術問題多種多樣，其中一項發明針對磊晶反應器(Epitaxial Reactor)中的問題，例如SiC顆粒附著於承載器(Susceptor)，導致SiC外延晶圓的背面產生凹陷。另一項發明則專注於減少特定缺陷(如凸起、凹坑、胡蘿蔔狀缺陷、三角缺陷、異物沉降)，並透過共焦掃描設備(Confocal Scanning Device)進行檢測。此外，還有一項發明與元件可靠性相關，其目標是提升載子復合效率，同時減少SiC外延層的必要厚度，以防止疊層缺陷(Stacking Faults)從緩衝層轉移至漂移層。
在元件(Devices)領域，值得注意的是蔚來和一汽等汽車業者在SiC技術上的專利布局活動。特別是蔚來，在第四季發表了一項歐洲專利，涉及SiC溝槽式MOSFET(Trench MOSFET)。此外，汽車供應鏈中的其他主要企業也積極在此領域申請專利，例如博世(Bosch)的專利重點在於提升SiC FET的短路耐受能力；安世(Nexperia)則針對SiC肖特基二極體(Schottky Diode)改進導通電阻(On-Resistance)和浪湧性能(Surge Performance)。
在模組與封裝(Modules & Packaging)領域， 安森美(onsemi)公開了一項適用於SiC元件的無電鍍方法與系統，而三菱電機(Mitsubishi Electric)則持續推出新技術，其中一項專利能夠在SiC MOSFET與Si IGBT並聯時抑制產生的熱量，且無需額外配置溫度檢測與電流檢測電路。另外，氮化鎵功率元件市場的領導者Navitas，正在加強其SiC功率元件的專利布局，其新發明針對SiC功率模組的電流平衡進行了最佳化。
在電路與應用(Circuits & Applications)領域，ZF亦持續投入研發，提出了一種驅動並聯SiC MOSFET和Si IGBT的方法，該方法能夠快速檢測導通元件的電流負載。此外，BMW與CSA Catapult及英國華威大學(University of Warwick)共同合作，發表了一項新專利，該技術能夠在高電流負載及嚴苛機械條件下(如強烈震動環境中的汽車應用)，監測SiC元件的溫度與電流。
